Une image d'un sous-joint de torsion (0 0 1) du silicium, obtenue en MET à deux ondes, est interprétée de façon quantitative au moyen de la théorie dynamique de la diffraction des électrons. Les caractéristiques du contraste sont discutées en fonction de l'épaisseur de la lame mince et des effets éventuels de relaxation élastique du sous-joint dans la lame mince.
A quantitative analysis of the image of a low angle (0 0 1) twist boundary in silicon is performed using the two-beam dynamical theory of electron diffraction. The contrast features are discussed as functions of the thickness of the foil and possible elastic relaxation effects of the low angle twist boundary in the thin foil.
Accepté le :
Publié le :
Keywords: contrast, low angle twist boundary, dislocation, silicon
@article{CRPHYS_2002__3_5_657_0,
author = {Roland Bonnet and Karine Rousseau and Frank Fournel},
title = {Analyse du contraste d'un sous-joint de torsion (0 0 1) dans le silicium en {MET} \`a deux ondes},
journal = {Comptes Rendus. Physique},
pages = {657--663},
publisher = {Elsevier},
volume = {3},
number = {5},
year = {2002},
doi = {10.1016/S1631-0705(02)01346-4},
language = {fr},
}
TY - JOUR AU - Roland Bonnet AU - Karine Rousseau AU - Frank Fournel TI - Analyse du contraste d'un sous-joint de torsion (0 0 1) dans le silicium en MET à deux ondes JO - Comptes Rendus. Physique PY - 2002 SP - 657 EP - 663 VL - 3 IS - 5 PB - Elsevier DO - 10.1016/S1631-0705(02)01346-4 LA - fr ID - CRPHYS_2002__3_5_657_0 ER -
%0 Journal Article %A Roland Bonnet %A Karine Rousseau %A Frank Fournel %T Analyse du contraste d'un sous-joint de torsion (0 0 1) dans le silicium en MET à deux ondes %J Comptes Rendus. Physique %D 2002 %P 657-663 %V 3 %N 5 %I Elsevier %R 10.1016/S1631-0705(02)01346-4 %G fr %F CRPHYS_2002__3_5_657_0
Roland Bonnet; Karine Rousseau; Frank Fournel. Analyse du contraste d'un sous-joint de torsion (0 0 1) dans le silicium en MET à deux ondes. Comptes Rendus. Physique, Volume 3 (2002) no. 5, pp. 657-663. doi : 10.1016/S1631-0705(02)01346-4. https://comptes-rendus.academie-sciences.fr/physique/articles/10.1016/S1631-0705(02)01346-4/
[1] How to control the self organization of nanoparticles by bonded thin layers, Surf. Sci., Volume 432 (1999), pp. 37-53
[2] Ultra-thin silicon films directly bonded onto silicon wafers, Mater. Sci. Engng. B, Volume 73 (2000), pp. 42-46
[3] Electron Microscopy of Thin Crystals, Krieger, Malabar, FL, USA, 1977, p. 252
[4] Computed Electron Micrographs and Defect Identification (S. Amelinckx; R. Gevers; J. Nihoul, eds.), North-Holland, Amsterdam, 1973
[5] Transmission Electron Microscopy, Imaging III, Plenum Press, New York, 1996
[6] Quantitative observation of misfit dislocations arrays in low and high angle twist grain boundaries, Philos. Mag., Volume 21 (1970), pp. 109-123
[7] TEM observations on grain boundaries in sintered silicon, Philos. Mag. A, Volume 40 (1979), pp. 589-610
[8] Chemical and structural characterization of γ(Ni)/γ′(Ni3Al) diffusion bonded interfaces (M.H. Yoo; W.A.T. Clark; C.L. Briant, eds.), Interfacial Structure, Properties and Design, Materials Research Society Symposium Proceedings, 122, 1988, pp. 169-174
[9] Room temperature bonding of silicon wafers by the surface activation method, Interface Science and Materials Interconnection, Proceedings of JIMIS-8, The Japan Institute of Metals, 1996, pp. 169-172
[10] Contraste en M.E.T. à deux ondes d'une dislocation rectiligne parallèle à la surface libre d'un cristal anisotrope, Philos. Mag. A, Volume 56 (1987), pp. 815-830
[11] F. Fournel, H. Moriceau, N. Magnea, J. Eymery, D. Buttard, J.L. Rouvière, K. Rousseau, B. Aspar, Nanometric patterning with ultrathin twist bonded silicon wafers, Thin Solid Films, in press
[12] H. Moriceau, F. Fournel, O. Rayssac, A.M. Cartier, C. Morales, S. Pocas, M. Zussy, E. Jalaguier, B. Biasse, B. Bataillou, A.M. Papon, C. Lagahe, B. Aspar, C. Maleville, F. Letertre, B. Ghydelen, T. Barge, Overview on some recent advances in wafer bonding technologies, submitted
[13] On the ambiguity between moiré fringes and the electron diffraction contrast from closely spaced dislocations, Phys. Status Solidi A, Volume 2 (1970), pp. 537-550
[14] Periodic displacement and stress fields near a phase boundary in the isotropic elasticity theory, Philos. Mag. A, Volume 43 (1981), pp. 1165-1187
[15] Une lame mince biphasée déformée par une dislocation interfaciale, C. R. Acad. Sci. Paris Sér. II, Volume 318 (1994), pp. 289-295
[16] Zur Theorie der Schraubenversetzung, Z. Phys., Volume 126 (1949), pp. 790-808
[17] Structural characterization of ultra-thin silicon films bonded onto silicon wafers: a transmission electron microscopy study, Mater. Sci. Semicond. Proc., Volume 4 (2001), pp. 101-104
[18] Elements of X-ray Diffraction, Addison–Wesley, Reading, USA, 1967 (p. 484)
[19] Crystal Defects and Crystalline Interfaces, Springer-Verlag, Berlin, 1970 (p. 48)
Cité par Sources :
Commentaires - Politique
Réseaux denses de défauts linéaires interfaciaux et dislocations de Somigliana
Ahlem Boussaid; Mustapha Fnaiech; Roland Bonnet
C. R. Phys (2005)
Champ élastique d'une dislocation rectiligne parallèle aux interfaces : une nouvelle approche
Roland Bonnet
C. R. Phys (2003)
Équilibre d'une dislocation dissociée placée dans une lame mince élastiquement anisotrope
Roland Bonnet; Sami Youssef
C. R. Phys (2006)