Les nouvelles générations de détecteurs infrarouge à base de HgCdTe

Gérard Destefanis

doi:10.1016/j.crhy.2003.10.011

Les nouvelles générations de détecteurs infrarouge à base de HgCdTe

Présenté par : Guy Laval

Gérard Destefanis ¹

¹ Commissariat à l'energie atomique (CEA), laboratoire d'électronique et des technologies de l'information (LETI), département optronique /laboratoire infrarouge (SLIR), 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France

Comptes Rendus. Physique, ir vision: from chip to image, Volume 4 (2003) no. 10, pp. 1109-1120.

Résumé
Abstract

Les technologies de détecteurs infrarouge refroidis très haute performances à base de HgCdTe n'ont cessé de progresser depuis une dizaine d'années et atteignent aujourd'hui une maturité industrielle qui permet la production de formats utilisables (320×240,640×480) à des coûts de plus en plus accessibles. En parallèle on voit poindre des prototypes de senseurs beaucoup plus complexes (matrices megapixels, matrices multispectrales, barrettes hautes définitions, $\dots$ ) qui montrent les fortes potentialités de cette filière technologique très performante. Cet article présente la filière technologique développée en France et donne l'état de l'art des formats disponibles industriellement puis se focalise sur quelques exemples très récents de prototypes de dispositifs avancés réalisés au LETI dont les performances mesurées sont voisines des valeurs limites prévues par la théorie (matrices bicolores, matrices mégapixels, $\dots$ ).

The technology of very high performance cooled infrared detectors made with HgCdTe has progressed continuously for ten years and reached today an industrial maturity that allows the production of large size arrays at a more and more reasonable cost. At the same time, new prototypes of more complex sensors have appeared (megapixel arrays, multicolour arrays, high definition long linear arrays, $\dots$ ) that show the strong potentialities of this very high performance technology. This paper presents the technology developed in France and gives the state of the art of products available in industry; it then focuses on some very recent realizations of advanced prototypes made at LETI (dualband arrays, megapixel arrays, $\dots$ ).

Publié le : 2003-12-01

DOI : 10.1016/j.crhy.2003.10.011

Mots-clés : Détecteurs infrarouge, HgCdTe, IRCMOS, Multispectral, Imagerie infrarouge haute définition, Épitaxie par jets moléculaires
Keywords: Infrared detectors, HgCdTe, IRCMOS, High definition infrared imaging, Molecular beam epitaxy

Affiliations des auteurs :

Gérard Destefanis ¹

¹ Commissariat à l'energie atomique (CEA), laboratoire d'électronique et des technologies de l'information (LETI), département optronique /laboratoire infrarouge (SLIR), 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France

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Gérard Destefanis. Les nouvelles générations de détecteurs infrarouge à base de HgCdTe. Comptes Rendus. Physique, ir vision: from chip to image, Volume 4 (2003) no. 10, pp. 1109-1120. doi : 10.1016/j.crhy.2003.10.011. https://comptes-rendus.academie-sciences.fr/physique/articles/10.1016/j.crhy.2003.10.011/

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