[La filière HgCdTe en France]
SOFRADIR se situe au premier rang mondial pour la production de détecteurs InfraRouge (IR) dits de seconde génération. Ce succès est dû à la qualité exceptionnelle de la technologie française basée sur le matériau HgCdTe. Cette technologie permet la production de détecteurs plans focaux constitués d'un circuit de détection en HgCdTe et d'un circuit de lecture/multiplexage qui, bénéficiant des progrès des technologies silicium, est aujourd'hui réalisé en technologie CMOS. Cette technologie et ses principaux produits sont présentés dans cet article. Enfin, pour répondre aux besoins des futurs systèmes IR, SOFRADIR avec CEA-LETI/LIR préparent la troisième génération de détecteurs IR toujours basés sur HgCdTe mais fabriqués par épitaxie par jets moléculaire.
SOFRADIR is one of the leading companies worldwide for the production of second generation InfraRed (IR) detectors. This success is due to the top level quality of the unique and production oriented French HgCdTe technology for manufacturing IR focal plane arrays based on an HgCdTe array and a CMOS readout and multiplexed silicon array. This technology and main products are presented in this paper. Finally, in order to prepare for future military and industrial needs, SOFRADIR has been working in close relationship with CEA-LETI/LIR on third generation developments based on HgCdTe material using Molecular Beam Epitaxy (MBE) growth.
Mot clés : Détecteur infrarouge, HgCdTe, Plan focal, IRFPA, IRCMOS, SOFRADIR
Philippe Tribolet 1
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Philippe Tribolet. HgCdTe technology in France. Comptes Rendus. Physique, Volume 4 (2003) no. 10, pp. 1121-1131. doi : 10.1016/j.crhy.2003.10.018. https://comptes-rendus.academie-sciences.fr/physique/articles/10.1016/j.crhy.2003.10.018/
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[5] New QWIP products at Sofradir, OPTRO 2002 – Paris, January 14–16, 2002
[6] Heteroepitaxy of HgCdTe(211)B on Ge substrates by molecular beam epitaxy for infrared detectors, J. Electron. Mater., Volume 27 (1998) no. 6, p. 542
[7] Large improvement in HgCdTe photovoltaic detector performance at LETI, J. Electron. Mater., Volume 22 (1993) no. 8
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[11] HgCdTe performance for High operating temperatures, Proc. SPIE, vol. 3436-20, 1998
[12] High performance LWIR 256×256 HgCdTe FPA operating at 88 K, Proc. SPIE, vol. 3061, 1997
[13] Design of the infrared imaging chain for the PRISM hyperspectral imager, Alcatel Space Industries, U. Del Bello, European Space Agency/ESTEC, Proc. SPIE, vol. 4130-66, 2001 (San Diego, CA, 2000)
[14] Molecular beam epitaxial growth and performance of HgCdTe-based simultaneous-mode two-color detectors, J. Electron. Mater., Volume 27 (1998), p. 747
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