Comptes Rendus
HgCdTe technology in France
[La filière HgCdTe en France]
Comptes Rendus. Physique, Volume 4 (2003) no. 10, pp. 1121-1131.

SOFRADIR se situe au premier rang mondial pour la production de détecteurs InfraRouge (IR) dits de seconde génération. Ce succès est dû à la qualité exceptionnelle de la technologie française basée sur le matériau HgCdTe. Cette technologie permet la production de détecteurs plans focaux constitués d'un circuit de détection en HgCdTe et d'un circuit de lecture/multiplexage qui, bénéficiant des progrès des technologies silicium, est aujourd'hui réalisé en technologie CMOS. Cette technologie et ses principaux produits sont présentés dans cet article. Enfin, pour répondre aux besoins des futurs systèmes IR, SOFRADIR avec CEA-LETI/LIR préparent la troisième génération de détecteurs IR toujours basés sur HgCdTe mais fabriqués par épitaxie par jets moléculaire.

SOFRADIR is one of the leading companies worldwide for the production of second generation InfraRed (IR) detectors. This success is due to the top level quality of the unique and production oriented French HgCdTe technology for manufacturing IR focal plane arrays based on an HgCdTe array and a CMOS readout and multiplexed silicon array. This technology and main products are presented in this paper. Finally, in order to prepare for future military and industrial needs, SOFRADIR has been working in close relationship with CEA-LETI/LIR on third generation developments based on HgCdTe material using Molecular Beam Epitaxy (MBE) growth.

Publié le :
DOI : 10.1016/j.crhy.2003.10.018
Keywords: Infrared detector, HgCdTe, Focal plane array, IRFPA, IRCMOS, SOFRADIR
Mot clés : Détecteur infrarouge, HgCdTe, Plan focal, IRFPA, IRCMOS, SOFRADIR
Philippe Tribolet 1

1 SOFRADIR, 43–47, rue Camille Pelletan, 92290 Châtenay-Malabry, France
@article{CRPHYS_2003__4_10_1121_0,
     author = {Philippe Tribolet},
     title = {HgCdTe technology in {France}},
     journal = {Comptes Rendus. Physique},
     pages = {1121--1131},
     publisher = {Elsevier},
     volume = {4},
     number = {10},
     year = {2003},
     doi = {10.1016/j.crhy.2003.10.018},
     language = {en},
}
TY  - JOUR
AU  - Philippe Tribolet
TI  - HgCdTe technology in France
JO  - Comptes Rendus. Physique
PY  - 2003
SP  - 1121
EP  - 1131
VL  - 4
IS  - 10
PB  - Elsevier
DO  - 10.1016/j.crhy.2003.10.018
LA  - en
ID  - CRPHYS_2003__4_10_1121_0
ER  - 
%0 Journal Article
%A Philippe Tribolet
%T HgCdTe technology in France
%J Comptes Rendus. Physique
%D 2003
%P 1121-1131
%V 4
%N 10
%I Elsevier
%R 10.1016/j.crhy.2003.10.018
%G en
%F CRPHYS_2003__4_10_1121_0
Philippe Tribolet. HgCdTe technology in France. Comptes Rendus. Physique, Volume 4 (2003) no. 10, pp. 1121-1131. doi : 10.1016/j.crhy.2003.10.018. https://comptes-rendus.academie-sciences.fr/physique/articles/10.1016/j.crhy.2003.10.018/

[1] P. Tribolet et al. From research to production, 10 years of success, Proc. SPIE, vol. 4130-53, 2000

[2] P. Tribolet; P. Chorier; A. Manissadjian; P. Costa; J.-P. Chatard High performance infrared detectors at SOFRADIR, Proc. SPIE, vol. 4028-54, 2000

[3] P. Tribolet; P. Costa; P. Fillon; A. Manissadjian; P. Chorier Large staring arrays at SOFRADIR, Infrared Technology and Applications XXVIII, Proc. SPIE, vol. 4820, part one, 2002, pp. 418-428

[4] P. Tribolet; J.P. Chatard; P. Costa; A. Manissadjian Progress in HgCdTe homojunction infrared detectors, J. Crystal Growth, Volume 184/185 (1998), pp. 1262-1271

[5] A. Manissadjian New QWIP products at Sofradir, OPTRO 2002 – Paris, January 14–16, 2002

[6] J.P. Zanatta; P. Ferret; P. Duvaut; G. Théret; A. Million; M. Wolny; J.P. Chamonal; G. Destefanis Heteroepitaxy of HgCdTe(211)B on Ge substrates by molecular beam epitaxy for infrared detectors, J. Electron. Mater., Volume 27 (1998) no. 6, p. 542

[7] G. Destefanis; J.P. Chamonal Large improvement in HgCdTe photovoltaic detector performance at LETI, J. Electron. Mater., Volume 22 (1993) no. 8

[8] P. Ferret; J.P. Zanatta; R. Hamelin; S. Cremer; A. Million; M. Wolny; G. Destefanis Status of the MBE technology at LETI LIR for the manufacturing of HgCdTe focal plane arrays, J. Electron. Mater., Volume 29 (2000), p. 641

[9] G.L. Destefanis Electrical doping of HgCdTe by ion implantation and heat treatment, J. Crystal Growth, Volume 86 (1988), pp. 700-722

[10] P. Chorier; P. Tribolet High performance HgCdTe SWIR detectors for hyperspectral instruments, Proc. SPIE, vol. 4540-47, 2001 (SOFRADIR, Toulouse, 2001)

[11] A. Manissadjian; P. Costa; P. Tribolet HgCdTe performance for High operating temperatures, Proc. SPIE, vol. 3436-20, 1998

[12] G.L. Destefanis High performance LWIR 256×256 HgCdTe FPA operating at 88 K, Proc. SPIE, vol. 3061, 1997

[13] T. Dartois; M. Giordanengo; J.Y. Ribet Design of the infrared imaging chain for the PRISM hyperspectral imager, Alcatel Space Industries, U. Del Bello, European Space Agency/ESTEC, Proc. SPIE, vol. 4130-66, 2001 (San Diego, CA, 2000)

[14] R.D. Rajavel; D.M. Jamba; J.E. Jensen; O.K. Wu; P.D. Brewer; J.A. Wilson; J.L. Johnson; E.A. Patten; K. Kosai; J.T. Caulfield; P.M. Goetz Molecular beam epitaxial growth and performance of HgCdTe-based simultaneous-mode two-color detectors, J. Electron. Mater., Volume 27 (1998), p. 747

Cité par Sources :

Commentaires - Politique


Ces articles pourraient vous intéresser

Les nouvelles générations de détecteurs infrarouge à base de HgCdTe

Gérard Destefanis

C. R. Phys (2003)


Caractérisation et modélisation de composants matriciels infrarouge

Pierre Castelein

C. R. Phys (2003)