Comptes Rendus
no. 7-8
Physics/Solids, fluids: magnetic and electrical properties
Effect of the high magnetic field on the localization length in n-type Cooper Indium diselenide
[Effet du champ magnétique sur la longueur de localisation dans n-type CuInSe2]

Présenté par : Jacques Villain

Lahcen Essaleh1  ; Syed M. Wasim2 ; Jean Galibert3
1 Laboratoire de matière condensée et nanostructures (LMCN), université Cadi-Ayyad, faculté des sciences et techniques, département de physique, Guéliz, BP 549, Marrakech, Morocco
2 Centro de Estudios de Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Merida 5101, Venezuela
3 Laboratoire national des champs magnétique pulsés, 143, avenue de Rangueil, BP 4245, 31432, Toulouse cedex 4, France
Comptes Rendus. Physique, Neutron scattering: a comprehensive tool for condensed matter research, Volume 8 (2007) no. 7-8, pp. 942-947.

La conduction par saut à distance variable de type Mott où la magnétorsistance suit la relation ρ(B)=ρoexp[To(B)/T]1/4, est observée dans n-CuInSe2 en dessous de 20 K pour un champ magnétique B allant jusqu'à 35 T. L'effet de B sut la température caractéristique To et sur la longueur de localisation ξ est expliqué à l'aide des modèles théoriques existants mais pour B< 10 T. Pour B> 10 T, la magnétorésistance présente un comportement de saturation. Cependant, les variations de To et ξ avec B sont en accord avec la théorie lorsqu'on considère les données obtenues par extrapolation des courbes Lnρ(B)/ρ(0) en fonction de B1/3. Ceci suggère que le désaccord observé au dessus de 10 T est lié à la saturation de la magnétoprésistance. L'origine de cette saturation n'est pas encore claire.

Variable range hopping conduction of the Mott type, where the magnetoresistance follows the relation ρ(B)=ρoexp[To(B)/T]1/4, is observed in n-type CuInSe2 below 20 K at different magnetic field values up to 35 T. The field dependence of the localization temperature To and localization length ξ can be explained with the existing theoretical models but only up to 10 T. In the high field regime, above 10 T, the magnetoresistance shows a tendency to saturate. However, excellent agreement with the theory of the variation of the hopping parameters To and ξ with B is found up to 35 T from the analysis of the interpolated magnetoresistance data obtained from the linearly extrapolated plot of Lnρ(B)/ρ(0) against B1/3. This suggests that the departure of To and ξ from the expected variation with B above 10 T is due to the effect of saturation of the magnetoresistance whose origin is not yet clear.

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DOI : 10.1016/j.crhy.2007.07.001
Keywords: Semiconductor, Variable range hopping, Magnetoresistance
Mots-clés : Semi-conducteur, Saut à distance variable, Magnétorsistance

Lahcen Essaleh 1 ; Syed M. Wasim 2 ; Jean Galibert 3

1 Laboratoire de matière condensée et nanostructures (LMCN), université Cadi-Ayyad, faculté des sciences et techniques, département de physique, Guéliz, BP 549, Marrakech, Morocco
2 Centro de Estudios de Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Merida 5101, Venezuela
3 Laboratoire national des champs magnétique pulsés, 143, avenue de Rangueil, BP 4245, 31432, Toulouse cedex 4, France 
@article{CRPHYS_2007__8_7-8_942_0,
     author = {Lahcen Essaleh and Syed M. Wasim and Jean Galibert},
     title = {Effect of the high magnetic field on the localization length in n-type {Cooper} {Indium} diselenide},
     journal = {Comptes Rendus. Physique},
     pages = {942--947},
     publisher = {Elsevier},
     volume = {8},
     number = {7-8},
     year = {2007},
     doi = {10.1016/j.crhy.2007.07.001},
     language = {en},
}
TY  - JOUR
AU  - Lahcen Essaleh
AU  - Syed M. Wasim
AU  - Jean Galibert
TI  - Effect of the high magnetic field on the localization length in n-type Cooper Indium diselenide
JO  - Comptes Rendus. Physique
PY  - 2007
SP  - 942
EP  - 947
VL  - 8
IS  - 7-8
PB  - Elsevier
DO  - 10.1016/j.crhy.2007.07.001
LA  - en
ID  - CRPHYS_2007__8_7-8_942_0
ER  - 
%0 Journal Article
%A Lahcen Essaleh
%A Syed M. Wasim
%A Jean Galibert
%T Effect of the high magnetic field on the localization length in n-type Cooper Indium diselenide
%J Comptes Rendus. Physique
%D 2007
%P 942-947
%V 8
%N 7-8
%I Elsevier
%R 10.1016/j.crhy.2007.07.001
%G en
%F CRPHYS_2007__8_7-8_942_0
Lahcen Essaleh; Syed M. Wasim; Jean Galibert. Effect of the high magnetic field on the localization length in n-type Cooper Indium diselenide. Comptes Rendus. Physique, Neutron scattering: a comprehensive tool for condensed matter research, Volume 8 (2007) no. 7-8, pp. 942-947. doi : 10.1016/j.crhy.2007.07.001. https://comptes-rendus.academie-sciences.fr/physique/articles/10.1016/j.crhy.2007.07.001/

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