Analyse du contraste d'un sous-joint de torsion (0 0 1) dans le silicium en MET à deux ondes

Roland Bonnet; Karine Rousseau; Frank Fournel

doi:10.1016/S1631-0705(02)01346-4

Analyse du contraste d'un sous-joint de torsion (0 0 1) dans le silicium en MET à deux ondes

Roland Bonnet ¹ ; Karine Rousseau ² ; Frank Fournel ³

¹ Institut national polytechnique de Grenoble, Laboratoire de thermodynamique et physico-chimie métallurgiques (unité mixte de recherche associée au CNRS 5614), École nationale supérieure d'électrochimie et d'électrométallurgie de Grenoble, Domaine universitaire, BP 75, 38402 Saint Martin d'Hères, France
² CEA-Grenoble, Département de recherche fondamentale sur la matière condensée, SP2M, ME, 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 09, France
³ LETI, CEA département des technologies silicium, 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 09, France

Comptes Rendus. Physique, Volume 3 (2002) no. 5, pp. 657-663.

Résumé
Abstract

Une image d'un sous-joint de torsion (0 0 1) du silicium, obtenue en MET à deux ondes, est interprétée de façon quantitative au moyen de la théorie dynamique de la diffraction des électrons. Les caractéristiques du contraste sont discutées en fonction de l'épaisseur de la lame mince et des effets éventuels de relaxation élastique du sous-joint dans la lame mince.

A quantitative analysis of the image of a low angle (0 0 1) twist boundary in silicon is performed using the two-beam dynamical theory of electron diffraction. The contrast features are discussed as functions of the thickness of the foil and possible elastic relaxation effects of the low angle twist boundary in the thin foil.

Reçu le : 2001-12-11
Accepté le : 2002-03-21
Publié le : 2002-01-01

DOI : 10.1016/S1631-0705(02)01346-4

Mot clés : contraste, sous-joint de torsion, dislocation, silicium
Keywords: contrast, low angle twist boundary, dislocation, silicon

Affiliations des auteurs :

Roland Bonnet ¹ ; Karine Rousseau ² ; Frank Fournel ³

¹ Institut national polytechnique de Grenoble, Laboratoire de thermodynamique et physico-chimie métallurgiques (unité mixte de recherche associée au CNRS 5614), École nationale supérieure d'électrochimie et d'électrométallurgie de Grenoble, Domaine universitaire, BP 75, 38402 Saint Martin d'Hères, France
² CEA-Grenoble, Département de recherche fondamentale sur la matière condensée, SP2M, ME, 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 09, France
³ LETI, CEA département des technologies silicium, 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 09, France

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Roland Bonnet; Karine Rousseau; Frank Fournel. Analyse du contraste d'un sous-joint de torsion (0 0 1) dans le silicium en MET à deux ondes. Comptes Rendus. Physique, Volume 3 (2002) no. 5, pp. 657-663. doi : 10.1016/S1631-0705(02)01346-4. https://comptes-rendus.academie-sciences.fr/physique/articles/10.1016/S1631-0705(02)01346-4/

Bibliographie
Cité par

[1] A. Bourret How to control the self organization of nanoparticles by bonded thin layers, Surf. Sci., Volume 432 (1999), pp. 37-53

[2] F. Fournel; H. Moriceau; N. Magnea; J. Eymery; J.L. Rouvière; K. Rousseau; B. Aspar Ultra-thin silicon films directly bonded onto silicon wafers, Mater. Sci. Engng. B, Volume 73 (2000), pp. 42-46

[3] P. Hirsch; A. Howie; R.B. Nicholson; D.W. Pashley; M.J. Whelan Electron Microscopy of Thin Crystals, Krieger, Malabar, FL, USA, 1977, p. 252

[4] A.K. Head; P. Humble; L.M. Clarebrough; A.J. Morton; C.T. Forwood Computed Electron Micrographs and Defect Identification (S. Amelinckx; R. Gevers; J. Nihoul, eds.), North-Holland, Amsterdam, 1973

[5] D.B. Williams; C.B. Carter Transmission Electron Microscopy, Imaging III, Plenum Press, New York, 1996

[6] T. Schober; R.W. Ballufi Quantitative observation of misfit dislocations arrays in low and high angle twist grain boundaries, Philos. Mag., Volume 21 (1970), pp. 109-123

[7] H. Föll; D. Ast TEM observations on grain boundaries in sintered silicon, Philos. Mag. A, Volume 40 (1979), pp. 589-610

[8] M. Dupeux; H. Rouault-Rogez; P. Willemin Chemical and structural characterization of γ(Ni)/γ′(Ni₃Al) diffusion bonded interfaces (M.H. Yoo; W.A.T. Clark; C.L. Briant, eds.), Interfacial Structure, Properties and Design, Materials Research Society Symposium Proceedings, 122, 1988, pp. 169-174

[9] H. Takagi; R. Maeda; T.R. Chung; T. Suga Room temperature bonding of silicon wafers by the surface activation method, Interface Science and Materials Interconnection, Proceedings of JIMIS-8, The Japan Institute of Metals, 1996, pp. 169-172

[10] R. Bonnet; A.J. Morton Contraste en M.E.T. à deux ondes d'une dislocation rectiligne parallèle à la surface libre d'un cristal anisotrope, Philos. Mag. A, Volume 56 (1987), pp. 815-830

[11] F. Fournel, H. Moriceau, N. Magnea, J. Eymery, D. Buttard, J.L. Rouvière, K. Rousseau, B. Aspar, Nanometric patterning with ultrathin twist bonded silicon wafers, Thin Solid Films, in press

[12] H. Moriceau, F. Fournel, O. Rayssac, A.M. Cartier, C. Morales, S. Pocas, M. Zussy, E. Jalaguier, B. Biasse, B. Bataillou, A.M. Papon, C. Lagahe, B. Aspar, C. Maleville, F. Letertre, B. Ghydelen, T. Barge, Overview on some recent advances in wafer bonding technologies, submitted

[13] A.R. Thölen On the ambiguity between moiré fringes and the electron diffraction contrast from closely spaced dislocations, Phys. Status Solidi A, Volume 2 (1970), pp. 537-550

[14] R. Bonnet Periodic displacement and stress fields near a phase boundary in the isotropic elasticity theory, Philos. Mag. A, Volume 43 (1981), pp. 1165-1187

[15] R. Bonnet Une lame mince biphasée déformée par une dislocation interfaciale, C. R. Acad. Sci. Paris Sér. II, Volume 318 (1994), pp. 289-295

[16] G. Leibfried; H.D. Dietze Zur Theorie der Schraubenversetzung, Z. Phys., Volume 126 (1949), pp. 790-808

[17] K. Rousseau; J.L. Rouvière; F. Fournel; H. Moriceau Structural characterization of ultra-thin $(0 0 1)$ silicon films bonded onto $(0 0 1)$ silicon wafers: a transmission electron microscopy study, Mater. Sci. Semicond. Proc., Volume 4 (2001), pp. 101-104

[18] B.D. Cullity Elements of X-ray Diffraction, Addison–Wesley, Reading, USA, 1967 (p. 484)

[19] W. Bollmann Crystal Defects and Crystalline Interfaces, Springer-Verlag, Berlin, 1970 (p. 48)

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