The discovery of giant magnetoresistance in 1988 opened the large research field of ‘spintronics’. Twenty years later, a large number of devices makes use of the electron's spin, in addition to its charge, to control electronic transport properties. The physical origin of spintronic phenomena is the different conduction properties of the majority and minority spin electrons in a ferromagnetic metal. At an interface involving a ferromagnetic conductor, this leads to spin dependent conduction or tunneling properties. Here we present an overview of magnetotransport phenomena in structures involving metallic layers.
La découverte de la magnétorésistance géante dans les multicouches magnétiques a ouvert un nouveau champ de recherche : l'électronique de spin. Prés de 20 ans plus tard, les phénomènes de transport dépendant du spin sont utilisés dans de nombreux composants. La possibilité de contrôler le transport électronique non seulement par la charge mais aussi par le spin de l'électron introduit de nouveaux degrés de liberté. L'électronique de spin, exploite la sensibilité à la direction du spin électronique des propriétés de transport dans un métal ferromagnétique. Cela se traduit par une influence très importante de la direction du spin des électrons de conduction sur la résistance électrique à l'interface avec un autre matériau. Dans cet article nous décrivons les principaux phénomènes de transport dépendant du spin au travers de couches fines de matériaux ferromagnétiques dans les multicouches métalliques et dans les structures à barrière tunnel.
Mots-clés : Magnétorésistance, Transport dépendant du spin, GMR, TMR
Alain Schuhl 1; Daniel Lacour 1
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Alain Schuhl; Daniel Lacour. Spin dependent transport: GMR & TMR. Comptes Rendus. Physique, Spintronics, Volume 6 (2005) no. 9, pp. 945-955. doi : 10.1016/j.crhy.2005.10.010. https://comptes-rendus.academie-sciences.fr/physique/articles/10.1016/j.crhy.2005.10.010/
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