Recent advances in 2D material physics
[Physique des matériaux bidimensionnels]
Sommaire
p. 1-2
Foreword: Recent advances in 2D materials Physics
[Avant-propos : Physique des matériaux bidimensionnels]
[Avant-propos : Physique des matériaux bidimensionnels]
p. 3-4
Theoretical approach to point defects in a single transition metal dichalcogenide monolayer: conductance and force calculations in MoS
[Approche théorique pour les défauts ponctuels dans une monocouche de dichalcogénure de métal de transition : calculs de conductance et de force dans le MoS]
[Approche théorique pour les défauts ponctuels dans une monocouche de dichalcogénure de métal de transition : calculs de conductance et de force dans le MoS]
p. 23-41
Moiré excitons at line defects in transition metal dichalcogenides heterobilayers
[Excitons de moiré au niveau des défauts de ligne dans les hétérocouches de dichalcogénures de métaux de transition]
[Excitons de moiré au niveau des défauts de ligne dans les hétérocouches de dichalcogénures de métaux de transition]
p. 53-68
Hexagonal boron nitride: optical properties in the deep ultraviolet
[Nitrure de bore hexagonal : propriétés optiques dans l’ultraviolet profond]
[Nitrure de bore hexagonal : propriétés optiques dans l’ultraviolet profond]
p. 69-76
Single- and narrow-line photoluminescence in a boron nitride-supported MoSe/graphene heterostructure
p. 77-88
Exciton–polarons in two-dimensional semiconductors and the Tavis–Cummings model
[Exciton–polarons dans des semi-conducteurs bidimensionnels et le modèle de Tavis–Cummings]
[Exciton–polarons dans des semi-conducteurs bidimensionnels et le modèle de Tavis–Cummings]
p. 89-96
Measuring graphene’s Berry phase at T
[Mesurer la phase de Berry du graphène en l’absence de champ magnétique]
[Mesurer la phase de Berry du graphène en l’absence de champ magnétique]
p. 133-143